Intel、IBM 22/15nm制程部分關鍵制造技術前瞻
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小結：Intel與IBM：你走你的陽光道，我過我的獨木橋
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/104927.htmGartner 的分析師Freeman表示，他認為Intel和AMD會繼續走自己的老路，Intel不太可能會使用SOI技術，而IBM則會繼續將SOI發揚光大。他認為Intel如果采用三門晶體管技術，“便可以繞開SOI，因此Intel未必會轉向SOI。”他并表示：“Intel會盡可能地延長體硅制程的壽命，而IBM則會盡快轉向全耗盡型SOI技術。”他還認為將來Soitec和信越化學公司(SEH, Tokyo)將具備向IBM提供符合對方需要的ETSOI晶圓的能力(目前IBM需要在廠內對ETSOI硅層進行處理)。
其它關鍵技術：
除了以上所述的即將投入使用的技術之外，用于制造場效應管溝道的半導體材料下一步也有可能會發生變化。在去年的IEDM會議上，斯坦福大學的教授 Krishna Saraswat曾表示，當溝道寬度降至10nm左右時，必須采用新材料來制造溝道。據他估計，業界將首先開發出NMOS管使用III-V族元素構建溝道，PMOS管使用鍺元素構建溝道的技術，然后再向PMOS/NMOS統一采用III- V族元素制造溝道的方向發展。轉向使用III-V族元素將大大減小器件的工作電壓和管子的能耗，可將工作電壓減小至0.5V。不久之前，Intel便介紹了他們在使用這種技術制造的QWFET場效應管方面取得的新進展，當時他們向這種晶體管結構中引入了High-K柵極氧化物層。
除此之外，IBM則在TSV硅通孔互連技術和3D堆疊封裝技術方面取得了較大的進展。
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