新興存儲器

五種新興的非易失性存儲器技術介紹,哪個可能是未來主流?

新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),磁性隨機存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM……

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被視為夢幻存儲的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼投入?

目前存儲市場以DRAM與NAND Flash為主流,而近年來,在人工智能、5G 等需求推升下,新興存儲MRAM(磁阻式隨機存取存儲) 逐漸成為市場焦點,是什么原因吸引臺積電、英特爾與三星等半導體大廠,相繼投入研發……

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MRAM、PCM和ReRAM,下一代的存儲器會是誰?

存儲器芯片開發的主要挑戰是面對日益增長的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰存儲器制造商選擇改變計算架構和移至更小的工藝節點生產……

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PCRAM/MRAM/ReRAM 3種新興內存將取代傳統的NOR flash和SRAM?

新興內存技術已經出現幾十年了,但根據Objective Analysis和Coughlin Associates發表的年度報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示,新興內存技術如今已經發展到一個在更多應用中表現更重要的關鍵期了……

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原理介紹

非易失性MRAM的誕生過程

MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎,MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結與……

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關于ReRAM的性能分析和介紹

電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種正處于開發階段的下一代內存技術。在經歷了多年的挫折之后,這項技術終于開始受到歡迎了……

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相變存儲器的工作原理

近年來,非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展,為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機,采用新型非易失性存儲技術來替代……

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相變存儲器(PCM)技術基礎

相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備,它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在……

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博客

MRAM是什么?

目前,DRAM、閃存和 SRAM 等傳統內存仍然是市場上的主力技術。在當今系統中的內存層次結構中,SRAM 在處理器中被用作實現高速數據存取的緩存;DRAM 是下一層,用作主內存……

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ReRAM有什么潛力,在人工智能中有什么作用?

隨著AI功能逐漸向邊緣端發展,它們將推動更多的AI應用,而且這些應用將越來越需要更強大的分析能力和智能……

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