新興存儲器
五種新興的非易失性存儲器技術介紹,哪個可能是未來主流?
新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),磁性隨機存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM……
了解更多被視為夢幻存儲的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼投入?
目前存儲市場以DRAM與NAND Flash為主流,而近年來,在人工智能、5G 等需求推升下,新興存儲MRAM(磁阻式隨機存取存儲) 逐漸成為市場焦點,是什么原因吸引臺積電、英特爾與三星等半導體大廠,相繼投入研發……
了解更多MRAM、PCM和ReRAM,下一代的存儲器會是誰?
存儲器芯片開發的主要挑戰是面對日益增長的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰存儲器制造商選擇改變計算架構和移至更小的工藝節點生產……
了解更多PCRAM/MRAM/ReRAM 3種新興內存將取代傳統的NOR flash和SRAM?
新興內存技術已經出現幾十年了,但根據Objective Analysis和Coughlin Associates發表的年度報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示,新興內存技術如今已經發展到一個在更多應用中表現更重要的關鍵期了……
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